EEPROM與Flash區(qū)別
發(fā)布者:管理員 日期:2025-02-19
其實(shí)對于用戶來說,EEPROM 和FLASH 的主要的區(qū)別就是
1. EEPROM 可以按“位”擦寫,而FLASH 只能一大片一大片的擦。
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. EEPROM 一般容量都不大,如果大的話,EEPROM 相對與FLASH 就沒有價(jià)格上的優(yōu)勢了。 市面上賣的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。
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. 讀的速度的話,應(yīng)該不是兩者的差別,只是(碩士論文)EERPOM 一般用于低端產(chǎn)品,讀的速度不 需要那么快,真要做的話,其實(shí)也是可以做的和FLASH 差不多。
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. 因?yàn)镋EPROM 的存儲單元是兩個管子而FLASH 是一個(SST 的除外,類似于兩管), 所以CYCLING 的話,EEPROM 比FLASH 要好一些,到1000K 次也沒有問題的。
總的來說,對與用戶來說,EEPROM 和FLASH 沒有大的區(qū)別,只是EEPROM 是低端產(chǎn)品, 容量低,價(jià)格便宜,但是穩(wěn)定性較FLASH 要好一些。 但對于EEPROM 和FLASH 的設(shè)計(jì)來說,FLASH 則要難的多,不論是從工藝上的還是從外圍 電路設(shè)計(jì)上來說。